制造一臺光刻機,究竟有多難?
撰文 | 王智豪(中國科學院長春光學精密儀器與物理研究所)
在通訊和網絡相關領域中,芯片起著至關重要的作用。由于眾所周知的原因,大眾對于芯片制造行業越來越關注。

圖片來源:veer圖庫
我們常說的芯片也就是集成電路,是指通過一系列特定平面制造工藝將各種元器件“集成”在一塊半導體單晶片上,并封裝在一個保護外殼內,這種復雜的電子系統能執行特定功能。而縱觀整個芯片制造流程,其中最復雜也是最前沿的莫過于光刻機。
為什么是7nm
“10nm”“7nm”“5nm”這些詞大家想必都不陌生。2018年,中微半導體成功研制7nm的刻蝕機,這是國產造芯的一大進步。(但是成功研制刻蝕機并不代表我們就有能夠制造7nm制程的芯片的實力,原因后面會講到。)
這些數字指的是什么?為什么我們需要所謂7nm的光刻機呢?
芯片界有一個著名的定律——摩爾定律,即集成電路上可以容納的晶體管數目大約每24個月增加一倍,當然對應的理論性能也能增加一倍。但如何在同樣尺寸的芯片上增加晶體管數量呢?當然就是把晶體管做小,提高晶體管密度。
“7nm”中的數字最初指的就是晶體管中的溝道長度,它也是區分半導體加工技術換代的重要標志(當然現在的命名更多的是代表技術迭代,其實是要長于7nm的)。想把晶體管越做越小,自然需要更精密的刻刀——光刻機,所謂7nm光刻機就是光刻機能刻蝕的最大分辨率。
光刻的原理非常簡單,和膠片相機的原理很相似。光線通過刻有電路圖案的板子(我們可以叫他掩模版),硅片上的光刻膠曝光,曝光后的光刻膠會發生性質變化,從而將掩模版上的圖案復制到硅片上。原理簡單,難的是如何實現更精確的光刻。
光刻不難,難的是更精確地光刻
光刻機種類主要分為三種。
第一種是接近接觸式光刻,這也是結構最簡單的光刻機。將掩模版與被刻基片盡可能接近,然后紫外光會對光刻膠進行曝光。它最大的問題在于:如果要制造芯片,就必須制作同等精細度的掩模版(變成了套娃)。此外掩模版可能與光刻膠直接接觸,可能對芯片造成污染。因此這種光刻機只能達到微米級。
第二種是直寫光刻,直寫光刻就像是打印,直接用強激光束將所需電路一點點刻出來,聽到這里你可能已經發現了它的缺點,太慢了。納米級的激光束在芯片上刻出電路的效率太低,不適于工業化制造。
第三種是目前芯片最主要的光刻方式,也是本文主要介紹的光刻方式——光學投影式光刻,它也是目前能實現的精度與效率最好的光刻手段。和直寫光刻的打印過程不同,光學投影式光刻就像是復印,掩模版上的圖案經過光學系統投影后被縮小,再曝光到硅片上,就能實現最小納米級的雕刻工藝。但是光學投影式光刻機問題是結構復雜,價格昂貴。
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